[发明专利]用于应力优化的鳍式场效应晶体管布局

摘要

本发明描述了一种用于应力优化的布局。布局包括衬底、形成在衬底中的至少两个鳍式场效应晶体管(FinFET)单元、被设计成横跨两个FinFET单元的FinFET鳍、形成在衬底上的多个栅极以及形成在第一FinFET单元和第二FinFET单元之间的多个隔离单元。两个FinFET单元包括第一FinFET单元和第二FinFET单元。FinFET鳍包括正电荷FinFET(Fin PFET)鳍和负电荷FinFET(Fin NFET)鳍。隔离单元隔离第一FinFET单元和第二FinFET单元而没有断开FinFET鳍。本发明还提供了用于应力优化的鳍式场效应晶体管布局。

主权项

一种布局，包括：至少两个鳍式场效应晶体管(FinFET)单元，所述至少两个FinFET单元包括第一FinFET单元和第二FinFET单元；FinFET鳍，被设计成横跨这两个FinFET单元，所述FinFET鳍包括正电荷FinFET(Fin PFET)鳍和负电荷FinFET(Fin NFET)鳍；多个栅极，形成在部分所述FinFET鳍的上方；以及隔离单元，形成在所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元之间，所述隔离单元隔离所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元而没有断开所述FinFET鳍。