[发明专利]绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201210573752.8 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102983160A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈天;杨晓鸾;季顺黄;武洪建 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 214131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层、P+层、N+层，其特征在于：所述N+层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层，所述金属层覆盖于所述P+层及所述N+层上。通过由倒置平顶锥形阵列包围集电极短路点的集电极面积扩展效应，提高了其背发射效率，极大的抑制了现有设计中引入N+型集电极短路点所导致的通态压降的升高现象，避免了通态电阻的增加和焦耳热的增多。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层（10）、P+层（08）、N+层（06），其特征在于：所述N+（06）层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层（08），所述金属层（10）覆盖于所述P+层（08）及所述N+层（06）上。
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