[发明专利]一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201210574529.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103898452A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 夏扬;谢元锋;吕宏;王玉民;姜珩;李屹民 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为SbxTeyW1-x-y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物，双向压制真空热压烧结制备Sb-Te-W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题，获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge2Sb2Te5材料，本发明的Sb-Te-W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低，用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 sb te 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储用Sb‑Te‑W相变靶材，其特征在于：它的化学通式为SbxTeyW1‑x‑y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。
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