[发明专利]非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201210574551.X | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904212A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非挥发性存储器。上述非挥发性存储器包括一底电极，其具有一第一晶格常数；一电阻转态层，设置于上述底电极上方，其具有一第二晶格常数；一顶电极，设置于上述电阻转态层上；一分隔层，设置于上述底电极和上述电阻转态层之间，其具有不同于上述第一晶格常数和上述第二晶格常数的一第三晶格常数。本发明可降低在同一晶圆不同晶片上的电阻转态层的晶粒尺寸变异量，大幅提升元件的电阻转换阻值、高电阻态对低电阻态的比值、元件耐久度等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器，其特征在于，所述的非挥发性存储器包括：一底电极，其具有一第一晶格常数；一电阻转态层，设置于所述的底电极上方，其具有一第二晶格常数；一顶电极，设置于所述的电阻转态层上；以及一分隔层，设置于所述的底电极和所述的电阻转态层之间，其具有不同于所述的第一晶格常数和所述的第二晶格常数的一第三晶格常数。
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