[发明专利]发光器件在审
| 申请号： | 201210574741.1 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178183A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 罗珉圭;秋圣镐;朱炫承;洪奇锡;卢志希 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且具有通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上使得延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；以及第二电极，所述第二电极被布置在所述透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中，所述第二电极接触所述开口区域中的所述第二导电型半导体层并且接触除了所述开口区域之外的区域中的所述透光导电层。
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