[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法。在所述半导体器件制造方法中，在半导体衬底（3）的前表面（3a）上形成绝缘层（6）。通过使用所述绝缘层（6）作为掩模来在所述衬底（3）中形成沟槽（8），以使得所述绝缘层（6）的第一部分（6a）位于所述沟槽（8）之间的所述前表面（3a）上，并且使得所述绝缘层（6）的第二部分（6b）位于除了所述沟槽（8）之间以外的位置处的所述前表面（3a）上。去除整个所述第一部分（6a），并去除每个沟槽（8）的开口周围的所述第二部分（6b）。通过在所述前表面（3a）侧上外延生长外延层（9），而利用所述外延层（9）填充所述沟槽（8）。通过使用剩余的所述第二部分（6b）作为抛光停止部，而对所述前表面（3a）侧进行抛光。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：制备具有前表面（3a）的半导体衬底（3）；在所述前表面（3a）上形成电绝缘层（6）；通过使用所述绝缘层（6）作为掩模来在所述半导体衬底（3）中形成多个沟槽（8），以使得所述绝缘层（6）的第一部分（6a）位于相邻沟槽（8）之间的所述前表面（3a）上，并且使得所述绝缘层（6）的第二部分（6b）位于除了相邻沟槽（8）之间以外的位置处的所述前表面（3a）上；通过完全去除所述第一部分（6a）并部分地去除所述第二部分（6b）来去除所述绝缘层（6），以使得所述多个沟槽（8）中的每一个的开口周围的所述第二部分（6b）被去除；通过在所述前表面（3a）侧上外延生长外延层（9），而利用所述外延层（9）填充所述多个沟槽（8），以及通过使用所述第二部分（6b）作为抛光停止部对所述外延层（9）进行抛光，而对所述前表面（3a）侧进行平坦化。