[发明专利]一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源无效

专利信息
申请号: 201210576113.7 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103049032A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 黄成;刘昊;江川;乔磊;任亮;关晓龙;胡慧 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源,本发明通过加在二极管两端的正向偏置电压,此电压与绝对温度成正比(PTAT),来产生一个和温度变化不敏感输出,添加电压的相对比重通常是通过微调两个电阻的比值来调整的,而本发明采用工作在饱和或截止状态MOS晶体管取代了上述两电阻,通过修改MOS管的宽长比替代原先修改电阻的比值。电路没有电阻,结构非常简单,也就大大降低了芯片的面积;在0~70取得了非常小的温度漂移系数;输出噪声比较低,而且主要由PM0、PM1和NM0管的热噪声构成,占总噪声的56.83%。
搜索关键词: 一种 没有 电阻 cmos 基准 电压
【主权项】:
一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源,其特征在于,所述CMOS带隙基准电压源包括基准电路、电压‑电流‑电压转换电路,所述基准电路包括启动电路、自偏置配置电路,所述启动电路在工作开始时拉伸自偏置配置电路内的门电压使得自偏置配置电路正常工作,与自偏置配置电路相连的电压‑电流‑电压转换电路用于转换输入电压再通过晶体管将电流放大后转换为正常输出电压。
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