[发明专利]成膜方法有效
申请号: | 201210576159.9 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103184429A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 古屋治彦;小川淳;上西雅彦;伊势昌之;榎美贵 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜方法,其是在成膜装置中进行的成膜方法,该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台;在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域;以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域,该成膜方法包括如下步骤:不向第二反应气体供给区域供给反应气体,向第一反应气体供给区域供给第一反应气体,通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体,从而使该气体吸附于晶圆表面;接着该步骤,不向第一反应气体供给区域供给反应气体,向第二反应气体供给区域供给第二反应气体,通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体,从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其在成膜装置中进行,该成膜装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式收容在真空容器内,在其表面具有用于载置多个基板的载置部;第一气体供给部,其配置于上述旋转台的上述表面的第一处理区域,用于向上述旋转台的上述表面供给反应气体;第二气体供给部,其配置于沿上述旋转台的周向与上述第一处理区域分开的第二处理区域,用于向上述旋转台的上述表面供给反应气体;分离区域,其在上述真空容器内设于上述第一处理区域和上述第二处理区域之间,该分离区域包括用于向上述旋转台的上述表面供给分离气体的分离气体供给部,其中,该成膜方法包括如下步骤:吸附步骤:一边使上述旋转台旋转,一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离,并且不自上述第二气体供给部供给反应气体,自上述第一气体供给部以规定的期间供给第一反应气体,从而使上述第一反应气体吸附于上述基板之上;反应步骤:一边使上述旋转台旋转,一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离,并且不自上述第一气体供给部供给反应气体,自上述第二气体供给部以规定的期间供给第二反应气体,使吸附于上述基板之上的上述第一反应气体与上述第二反应气体反应,从而在上述基板之上形成上述第一反应气体和上述第二反应气体的反应生成物的第一薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的