[发明专利]用于半导体制造工具的阀净化组件有效
申请号: | 201210576926.6 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103311149B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 连明惠;陈嘉和;吴淑芬;李志聪;周友华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 用于半导体制造工具的阀净化组件。本发明提供了一种半导体制造工具和操作该工具的方法。半导体制造工具包括在其中实施等离子体操作或离子蚀刻操作的处理室和用于打开和关闭阀的阀组件,所述阀用于在半导体制造工具内外装载和卸载衬底。在室中实施处理操作的同时,还进行阀组件净化操作。阀组件净化操作包括将惰性气体引导到阀组件区域以防止颗粒和污染膜在阀组件中形成。因为阀组件保持清洁状态,所以减少或消除了颗粒污染。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 工具 净化 组件 | ||
【主权项】:
一种用于操作半导体制造装置的方法,所述方法包括:提供具有侧壁和穿过该侧壁的孔的处理室,其中,所述处理室包括加热元件;提供包括与所述侧壁形成可拆式密封以关闭所述孔的门的阀组件,其中,所述门包括与所述侧壁形成所述可拆式密封的弹性密封构件,所述弹性密封构件包括O型圈或垫圈;通过在所述处理室内实施操作来操作所述装置;在所述操作过程中,将惰性净化气体输送到所述阀组件以防止处理气体对所述O型圈或垫圈的侵害;以及在所述操作过程中,从所述阀组件排出所述惰性净化气体,其中,所述孔通过所述侧壁的内部外围表面来限定和界定,输送惰性净化气体包括通过在所述外围表面中具有开口的管道输送所述惰性净化气体,排放所述惰性净化气体包括通过在所述外围表面中具有开口的管道排出所述惰性净化气体,其中,通过单个泵经由直接连接至所述处理室的内部的第一排放线段从所述处理室抽吸所述处理气体和经由直接连接至排出所述惰性净化气体的所述管道的第二排放线段从所述孔抽吸所述惰性净化气体,所述单个泵直接连接至所述第一排放线段和所述第二排放线段;其中,操作所述装置在关闭所述门之后进行,当所述门关闭时,以第一流速提供所述惰性净化气体,当所述门打开时,以第二流速提供所述惰性净化气体,所述第二流速小于所述第一流速。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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