[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法在审
| 申请号： | 201210577959.2 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103904193A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：提供一基板，在该基板上设置发光二极管芯片；在基板上围绕发光二极管芯片点上胶体，加热固化该胶体形成一胶环；在胶环围成的区域内再次点胶体，然后固化该胶体，形成覆盖发光二极管芯片的封装体。本发明的发光二极管的封装体的制造方法利用胶体固化后形成的胶环来取代传统挡环，可降低成本、简化制程，提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：提供一基板，在该基板上设置发光二极管芯片；在基板上围绕发光二极管芯片点上胶体，加热固化该胶体形成一胶环；在胶环围成的区域内再次点胶体，然后固化该胶体，形成覆盖发光二极管芯片的封装体。
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