[发明专利]高可靠性耗尽型功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210580567.1 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022138A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 叶俊;张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高可靠性耗尽型功率半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极；位于所述栅电极两侧、所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；其中，所述栅介质层下方的外延层表面留有未注入第一掺杂类型离子的低浓度区。本发明能够减弱栅介质层的电场强度从而保证栅介质层工作在低应力条件下以提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 耗尽 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高可靠性耗尽型功率半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极；位于所述栅电极两侧、所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；其特征在于，所述栅介质层下方的外延层表面留有未注入第一掺杂类型离子的低浓度区。
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