[发明专利]控制系统及其控制方法无效
| 申请号： | 201210580809.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103074617A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 乔徽 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制系统，所述控制系统包括：探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息；参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数；控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。本发明还提供了所述控制系统的控制方法，所述控制方法包括：探测单元探测所述反应腔内的气体信息，并输出一气体信息信号；参数设定单元接收所述气体信息信号，根据所述气体信息信号输出一控制参数信号；控制单元接收所述控制参数信号，并根据所述控制参数信号控制加热单元对所述托盘或/和衬底进行加热。本发明的控制系统可以根据反应腔内微环境的不同，实现对加热单元的精准控制。 | ||
| 搜索关键词： | 控制系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种控制系统，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制系统包括：探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息；参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数；控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
