[发明专利]一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法有效
| 申请号： | 201210580994.X | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103903949A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;邱达燕;刘志强;叶如彬;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;吕俊清 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法，用于对放置在等离子体处理腔室中的晶片进行加工处理，所述等离子体处理腔室包括一上电极和一下电极，所述下电极连接一源射频功率源以及一偏置射频功率源，共同作用于所述等离子体处理腔室内以产生一射频电场，所述方法包括如下步骤：向所述等离子体处理腔室内通入反应气体；控制所述上电极和所述下电极对反应气体进行电离，产生等离子体；其中，所述源射频功率源的功率以及所述偏置射频功率源的功率中的至少一个大于零，所述射频电场在多个功率之间周期性交替变化，且所述射频电场的功率始终大于零。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 处理 射频 能量 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法，用于对放置在等离子体处理腔室中的晶片进行加工处理，所述等离子体处理腔室包括一上电极和一下电极，所述下电极连接一源射频功率源以及一偏置射频功率源，共同作用于所述等离子体处理腔室内以产生一射频电场，所述源射频功率源通过电感耦合的方式电离反应气体以产生等离子体，所述偏置射频功率源用于控制等离子体对代加工件进行物理溅射轰击，所述方法包括如下步骤：向所述等离子体处理腔室内通入反应气体；控制所述上电极和所述下电极对反应气体进行电离，产生等离子体；其特征在于，所述源射频功率源的功率以及所述偏置射频功率源的功率中的至少一个大于零，所述射频电场在多个功率之间周期性交替变化，且所述射频电场的功率始终大于零。
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