[发明专利]超辐射发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210581934.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103022897A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周志强;刘建军;唐琦 | 申请（专利权）人： | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 朱振德 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖高*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，包括有衬底，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，构成二次外延片；继续采用外延生长技术，在二次外延片表面继续生成覆盖层和接触层，构成三次外延片；依次采用光刻、刻蚀、磨片和溅射工艺将三次外延片制作成超辐射发光二极管芯片，并对所述芯片的出光端面镀增透膜。本发明具有偏振灵敏度低、纹波系数小、高功率及宽光谱等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：步骤一，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；步骤二，继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，构成二次外延片；步骤三，继续采用外延生长技术，在二次外延片表面继续生成覆盖层和接触层，构成三次外延片；步骤四，依次采用光刻、刻蚀、磨片和溅射工艺将三次外延片制作成超辐射发光二极管芯片，并对所述芯片的出光端面镀增透膜。
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