[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210582092.X | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103077983A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 毕京锋;林志东;蔡文必;林桂江;刘建庆;宋明辉;丁杰 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/078;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种倒装多结太阳电池及其制备方法,其包括:衬底;第一子电池,倒装生长与衬底之上,具有第一带隙;第二子电池,倒装形成于第一子电池之上,具有小于第一带隙的第二带隙;第三子电池,倒装形成于第二子电池之上,具有小于第二带隙的第三带隙;第四子电池,倒装形成与第三子电池之上,具有小于第三带隙得第四带隙,第一、二、三、四子电池与衬底晶格匹配;渐变缓冲层,形成于第四子电池之上,克服第四、五子电池之间的晶格失配,具有小于第四带隙的第五带隙。第五子电池,倒装形成与其同质的渐变缓冲层之上,具有小于第五带隙的第六带隙。经过后期各种工艺,获得所需的太阳能电池。通过本发明可以制备出电流匹配,光谱吸收范围更广的高效多结太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
多结太阳能电池,至少包括底电池、次底电池和顶电池,底电池与次底电池之间晶格不匹配,其特征在于:在底电池与次底电池之间还包含渐变缓冲层,其与底电池的材料同质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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