[发明专利]用于刻纳米银导电材料的装置及其方法

摘要

本发明涉及用于刻纳米银导电材料的装置及其方法，激光器发出的激光依次经光闸、1/2波片和格兰棱镜后射入扩束镜对光束进行同轴扩束，经扩束镜扩束准直后的激光到达全反镜片，经全反镜片反射后的激光射入振镜系统，射出振镜系统的激光经远心场镜后聚焦到被吸附于真空吸附平台上的待加工件上。通过运用高频率的短脉冲激光器作为激光源，对不同触摸屏产品中纳米银导电材料进行激光蚀刻，使纳米银导电材料在高频率的短脉冲固体激光器的作用下气化而达到蚀除的目的，加工方式简单、效率高，且无需耗材。

主权项

用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：包含有激光器（1）、光闸（2）、1/2波片（3）、格兰棱镜（4）、扩束镜（5）、全反镜片（6）、振镜系统（7）和远心场镜（8），所述激光器（1）的输出端布置有光闸（2），光闸（2）的输出端设置有1/2波片（3），1/2波片（3）的输出端布置有格兰棱镜（4），格兰棱镜（4）的输出端依次布置有扩束镜（5）和全反镜片（6），全反镜片（6）的输出端依次布置有振镜系统（7）和远心场镜（8），在振镜系统（7）上安装有高度测量仪（16），远心场镜（8）的输出端正对于真空吸附平台（13），所述真空吸附平台（13）的上方布置有对位观察系统（9），所述真空吸附平台（13）的一侧布置有吹气系统（11），另一侧安装有集尘系统（10）；所述激光器（1）、振镜系统（7）和高度测量仪（16）均通过通讯系统（15）与工控机（14）相连。