[发明专利]一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法无效
申请号: | 201210583234.4 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103022303A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘铎;林贯军;左志远;冯兆斌;张茜;林晓煜;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 吕利敏 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用双光束干涉辅助实现发光二极管表面图形制备的方法,该方法为:利用激光干涉光路照射在发光二极管外延片待腐蚀表面:通过调节激光干涉光路在所述发光二极管外延片待腐蚀表面形成光干涉图形,结合现有湿法腐蚀法对发光二极管外延片进行光辅助湿法腐蚀。本方法可以通过调节两束入射激光的角度,在LED外延片上腐蚀出不同周期的结构,相对于现有的图形制备工艺具有操作简单,成本低,能获得较好的表面图形和微结构的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 光束 干涉 辅助 湿法 腐蚀 实现 发光二极管 表面 图形 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法,其特征在于,该方法为:利用激光干涉光路照射在发光二极管外延片待腐蚀表面:通过调节激光干涉光路在所述发光二极管外延片待腐蚀表面形成光干涉图形,结合现有湿法腐蚀技术对发光二极管外延片进行光辅助湿法腐蚀。
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