[发明专利]一种直流电源输入防反灌电路及方法有效
| 申请号： | 201210583448.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904620B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 朱厚存;李长远;梁新春;谢长江 | 申请（专利权）人： | 南京中兴软件有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H11/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 王磊;龙洪 |
| 地址： | 210012 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电源输入防反灌电路及方法，包括：防反接电路、缓启动电路和采样控制电路，防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET，缓启动电路包含缓启动MOSFET，采样控制电路采样缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压，在缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时，控制防反接MOSFET关断。本发明在输入短路或输入电压快速跌落时避免发生电流反灌，从而可以在DC/DC转换器采用全桥电路时，避免造成转换器副边同步整流MOSFET漏源极电压应力增大，损坏MOSFET；并且，避免在输入口发生反向的雷击浪涌时，出现电流反灌，从而避免模块输入电容掉电，导致的电源输出掉电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流电源 输入 防反 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直流电源输入防反灌电路，包括：防反接电路、缓启动电路和采样控制电路，所述防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET，所述缓启动电路包含缓启动MOSFET和缓启动功率电阻，所述采样控制电路采样所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压，在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时，控制所述防反接MOSFET关断；所述缓启动MOSFET并联所述缓启动功率电阻，在上电时，缓启动MOSFET关闭，通过缓启动功率电阻限制开机冲击电流，当缓启动控制电路检测到输入电容上的电压接近输入电压时，驱动缓启动MOSFET导通，短路所述缓启动功率电阻。
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