[发明专利]对处于低温的集成电路进行加热的方法和使用该方法的装置无效
| 申请号： | 201210585265.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103220897A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 金美淑;朴信奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H05K7/20 | 分类号： | H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对集成电路进行加热的方法和使用该方法的装置。该方法可包括：感测集成电路的温度；将所感测的温度与基准温度进行比较并产生比较信号；以及基于所述比较信号启用对集成电路进行加热的加热元件。集成电路可包括配置为感测该集成电路的温度的热传感器、可将所感测的温度与基准温度进行比较、并且可产生比较信号。集成电路可包括配置为基于所述比较信号被启用以对该集成电路进行加热的加热元件。集成电路可包括加热元件和热传感器。传感器可配置为感测集成电路的温度并且基于所感测的温度和基准温度产生控制信号。可基于所述控制信号来启用所述元件以对集成电路进行加热或者禁用所述元件以不对集成电路进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 处于 低温 集成电路 进行 加热 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种对集成电路进行加热的方法，该方法包括步骤：感测所述集成电路的温度；将所感测的温度与基准温度进行比较并产生比较信号；以及基于所述比较信号启用对所述集成电路进行加热的加热元件。
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