[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 201210585984.5 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103064222B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供具有电特性高且可靠性高的薄膜晶体管的液晶显示装置。在具有沟道截止型的反交错型薄膜晶体管的液晶显示装置中，该沟道截止型的反交错型薄膜晶体管包括：栅电极；栅电极上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；微晶半导体膜上的缓冲层；与微晶半导体膜的沟道形成区域重叠地形成在缓冲层上的沟道保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：沿第一方向延伸的栅极布线，其中所述栅极布线具有沿第二方向凹陷的部分；沿所述第二方向延伸的源极布线；以及半导体膜，所述半导体膜与所述栅极布线和所述源极布线重叠，所述半导体膜具有锥形形状；像素电极，所述像素电极临近所述栅极布线，且其间具有间隙；以及导电膜，所述导电膜位于凹陷部分内，其中所述导电膜延伸从而电气地连接所述半导体膜和所述像素电极，其中，所述半导体膜包括微晶半导体，以及其中，所述栅极布线具有锥形端部部分。
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