[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括存储器单元块，所述存储器单元块包括多个存储器单元；外围电路部，所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环，以将储存在存储器单元中的数据擦除；失败位计数器，所述失败位计数器被配置成对在存储器单元之中的在擦除操作中未被擦除的存储器单元的数目计数，以在擦除验证操作中基于与计数结果相对应的失败计数来产生计数信号；以及控制器，所述控制器被配置成控制外围电路部，以通过将用于前一擦除循环的擦除电压增加第一步进电压，或者基于失败计数将擦除电压减小第二步进电压，来设定新的擦除电压，并且利用新的擦除电压来执行擦除循环。

主权项

一种半导体存储器件，包括：存储器单元块，所述存储器单元块包括多个存储器单元；外围电路部，所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环，以将储存在存储器单元中的数据擦除；失败位计数器，所述失败位计数器被配置成通过对存储器单元之中的在擦除操作中未被擦除的存储器单元的数目计数来产生失败计数；以及控制器，所述控制器被配置成控制外围电路部，以致：当将由失败位计数器产生的失败计数与前一失败计数相比较的结果是由失败位计数器产生的失败计数小于所述前一失败计数时，利用通过增大擦除电压所获得的第一擦除电压来执行第一擦除电压施加操作，以及当所述失败计数大于或等于所述前一失败计数时，利用通过减小擦除电压所获得的第二擦除电压来执行第二擦除电压施加操作和新的擦除验证操作，其中，所述控制器控制外围电路部，以致：当判定所述新的擦除验证操作失败时，利用通过减小所述第二擦除电压所获得的新的第二擦除电压来再次执行第二擦除电压施加操作。