[发明专利]硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基异质结太阳能电池的真空处理系统及电池的制备方法，所述硅基异质结太阳能电池真空处理系统包括将装有硅片的托盘传入或传出所述真空处理系统的进/出片腔，至少一个反应腔，在所述反应腔内对硅片进行化学气相沉积处理以沉积非晶硅薄膜，所述真空处理系统中还含有保持真空环境的氧化层蚀刻腔，用于去除硅片表面的氧化物。本发明通过将氧化层蚀刻过程和沉积非晶硅薄膜过程集中于一个真空处理系统中，可以避免大气传输中的大气污染，有利于提高电池转换效率，同时，降低了制绒工序和钝化工序间严格的时间要求，有利于实现大规模生产并且提高产品的生产良率。

主权项

一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，包括：位于所述真空处理系统中央位置的传输腔(11)，所述传输腔(11)呈现多边形结构，且具有第一连接面(112)，第二连接面(113)，第三连接面(114)，第四连接面(115)，第五连接面(116)；在所述第一连接面(112)，第二连接面(113)，第三连接面(114)的位置分别配置有多个反应腔(12，13，14)，每个所述反应腔(12，13，14)的内部设置有一个或多个用于放置待处理硅片的托盘，所述反应腔(12，13，14)中至少一个反应腔用于对硅片进行I型非晶硅薄膜的化学气相沉积处理；在所述第四连接面(115)的位置配置有进/出片腔(15)，所述进/出片腔(15)用于连接所述传输腔(11)和外界的大气环境；在所述第五连接面(116)的位置配置有与其相接的氧化层蚀刻腔(16)，所述氧化层蚀刻腔(16)用于去除硅片表面的氧化层；设置在传输腔(11)中的机械手用于将放置有硅片的托盘在反应腔(12，13，14)与蚀刻腔(16)之间传输。