[发明专利]半导体堆栈结构及其制法有效
| 申请号： | 201210589731.5 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187379A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 何彦仕;关欣;尤龙生;刘沧宇;郑家明 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将一规格的晶圆进行切割以形成多个芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格的晶圆样式，以通过坝块堆栈于所需的基板上，再于芯片上进行线路重布层的制程，最后，进行切割以形成多个该半导体堆栈结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 堆栈 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体堆栈结构，其特征在于，包括：芯片，其具有相对的第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与该第二表面的侧面，该芯片的第一表面具有多个电性接触垫，且该芯片的第二表面上具有线路重布层，而该芯片的侧面上具有隔离层，又该芯片中具有导电盲孔以电性连接该线路重布层与该电性接触垫；保护层，其形成于该芯片的第二表面与该线路重布层上；以及基板，其具有多个坝块以对应各该电性接触垫，并供该芯片通过其第一表面结合于该基板上。
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