[发明专利]易于捡取的防静电晶圆切割膜有效
| 申请号： | 201210589842.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103009758A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 崔庆珑 | 申请（专利权）人： | 崔庆珑 |
| 主分类号： | B32B27/20 | 分类号： | B32B27/20;B32B27/08;B32B27/10;B32B7/12;B32B7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201619 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体晶圆处理技术，涉及晶圆的保护用膜，特别是对静电需要降低风险的切割用膜，包含基材膜，胶粘层和离型膜。在基材膜内添加1％～10％的防静电母料，使基材膜的表面电阻率在108Ω到1013Ω范围内，以降低晶圆切割捡取晶粒时产生的静电对其损伤的风险；胶粘层选取剥离力5.0N/in～25.0N/in，固含量20％～60％的多组分溶剂型丙烯酸压敏胶，混合一种或多种UV单体或低聚物、一种或多种UV引发剂、固化剂制成。切割膜在UV光照射后粘着力从大于3.0N/in降低到小于0.5N/in，使用本发明形成的晶圆切割膜降低甚至消除了静电影响，易于晶圆切割后晶粒的捡取。 | ||
| 搜索关键词： | 易于 静电 切割 | ||
【主权项】：
一种易于捡取的防静电晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，其特征在于：所述基材膜中添加了质量百分比为1％～10％的防静电母料。
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