[发明专利]一种调整减反射膜厚度和折射率的方法有效
申请号: | 201210590770.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103022260A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 赵强 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/24;C23C14/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种调整减反射膜厚度和折射率的方法,包括:设置多个温区;获取各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率;根据所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率,调整相应的各个温区内当前待沉积硅片的加热速率;在待沉积硅片表面形成减反射膜。利用本发明提供的方法可以实现调整减反射膜的膜厚增大的同时,减低减反射膜的折射率;或者实现调整减反射膜的膜厚减小的同时,增大减反射膜的折射率。以克服现有技术在调整减反射膜均匀性的过程中的局限性,保证了形成的减反射膜的厚度和折射率的均匀性,提高了成片太阳能电池片的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 调整 减反射膜 厚度 折射率 方法 | ||
【主权项】:
一种调整减反射膜厚度和折射率的方法,其特征在于,包括:设置多个温区;获取各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率;根据所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率,调整相应的各个温区内当前待沉积硅片的加热速率;在待沉积硅片表面形成减反射膜。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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