[发明专利]一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn 结纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液，得ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的溶液和六次甲基四胺HMTA的溶液，转入放有种子层基底的反应釜中，反应，得ZnO纳米棒阵列；（3）将上述纳米棒阵列浸入到硝酸镉的乙醇溶液，冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将上述所得物质浸入Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，即得。本发明制备工艺简单，常压下采用易于大规模生产的溶液法，重复性好。

主权项

一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液30~60s，取出后冲洗，退火，自然冷却至室温，重复以上操作，得覆盖有ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的水溶液和六次甲基四胺HMTA的水溶液按体积比1:1混合，然后转入放有ZnO种子层基底的反应釜中，进行水热反应，得到ZnO纳米棒阵列，退火，自然冷却至室温；（3）将ZnO纳米棒阵列首先浸入到硝酸镉的乙醇溶液2~4分钟，取出后冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液2~4分钟，取出后冲洗，以上操作为一个循环，重复此循环，退火，自然冷却至室温，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列浸入溶有Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，5~10min后将ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列取出，退火，自然冷却至室温，即得ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4pn结纳米棒阵列，其中Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O、硫脲的摩尔比为2:1:1:8~10。