[发明专利]半导体器件制造系统以及半导体器件制造方法无效

专利信息
申请号: 201210592884.5 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103208433A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 渡边真二郎;饭田到;原田宗生 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件制造系统,其不需要过剩的防腐蚀措施能够防止半导体器件制造中生产率的降低,从叠层芯片(13)制造半导体器件的半导体器件制造系统(10)具备:芯片还原装置(14)和芯片接合装置(15),芯片还原装置(14)具有还原室(24),在该还原室(24)内还原各芯片(11)的端子(27)表面的氧化膜,芯片接合装置(15)具有与还原室(24)分开的回流焊室(25),在该回流焊室(25)内进行焊接凸块(26)与各芯片(11)的端子(27)的接合,芯片接合装置(15)与芯片还原装置(14)分别设置。
搜索关键词: 半导体器件 制造 系统 以及 方法
【主权项】:
一种半导体器件制造系统,其制造在端子接合有焊接凸块的半导体器件,该半导体器件制造系统的特征在于,包括:还原装置,其具有第一处理室,在该第一处理室内将所述端子的表面的氧化膜还原;和接合装置,其与所述还原装置分别设置,并且具有与所述第一处理室隔离的第二处理室,在该第二处理室中进行将所述焊接凸块与所述端子的接合。
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