[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210593034.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103021945A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 廖燕平;董杰;郝昭慧;张振宇;邵喜斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该阵列基板的制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，形成由所述栅金属层组成的栅扫描线和短路连接线，所述短路连接线与所述栅扫描线之间的连接为断开的；在形成栅绝缘层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔；沉积导电层，所述导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线。本发明的技术方案能够保证短路连接线与栅扫描线之间的连接，满足阵列测试的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上沉积栅金属层，形成由所述栅金属层组成的栅扫描线和短路连接线，所述短路连接线与所述栅扫描线之间的连接为断开的；在形成栅绝缘层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔；沉积导电层，所述导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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