[发明专利]一种薄膜混合集成电路电镀方法

摘要

本发明提供一种薄膜混合集成电路电镀方法，首先是利用磁控真空溅射机将TaN-TiWu-Au复合薄膜依次沉积在微带基片上，然后用光刻胶做掩膜，通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉其中的金层和钛钨层并完整的保留下氮化钽层，用以实现对局部孤岛电路电镀时的互联；接下来在200℃-280℃的干燥箱中进行热氧化处理180min∽360min，使氮化钽层的表面生产一层氧化钽，经过以上处理就可以实现电镀状态下的局部电路导通和非电镀表面的相对绝缘，从而实现选择性局部电镀。本发明所用光刻胶量少生产成本低、符合绿色环保的生产发展趋势。

主权项

一种薄膜混合集成电路电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：A：在基片上磁控溅射沉积氮化钽薄膜电阻，采用高纯度钽靶，溅射反应气体为氮气和氩气；B：在氮化钽薄膜上依次溅射钛钨薄膜和金薄膜，使用钛钨靶和高纯度金靶，溅射反应气体为氩气；C：用光刻胶做掩膜，用碘和碘化钾混合水溶液配置的金腐蚀液刻蚀掉设计图形之外不需要的金，用钛钨腐蚀液湿法刻蚀掉设计图形之外不需要的钛钨薄膜；D：用氢氧化钾溶液去除光刻胶后，用高纯水冲洗后，再用分析纯级丙酮溶液擦拭；E: 采用热氧化的方法在氮化钽薄膜裸露的表面生成氧化薄膜后，进行电镀并最终刻蚀出电路图形；F：将清洗干净的基片用真空干燥箱预定温度下热氧化，使氮化钽表面生成一层氧化钽薄膜；G：在室温下分别经过除油剂除油处理和高纯水清洗，然后再经过10％的盐酸浸酸活化和高纯水清洗；H：取预定电流密度的电流进行电镀，在电路上沉积一层金，电镀结束后用高纯水清洗60s，然后沸水中水煮；I：用氟化铵和硝酸混合的腐蚀液腐蚀掉氧化钽和氮化钽得到设计电路图形。