[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件的制备方法。其包括以下步骤：在半导体衬底上形成输入/输出伪栅极和核心伪栅极，输入/输出伪栅极与半导体衬底之间形成输入/输出氧化层及输入/输出掩膜层，核心伪栅极与半导体衬底之间形成核心氧化层；在每个伪栅极的侧表面上形成刻蚀阻挡层和介质层；去除输入/输出伪栅极和核心伪栅极，去除核心氧化层；去除输入/输出掩膜层；在半导体衬底上形成核心栅介质层；形成金属栅极。该制备方法通过在输入/输出伪栅极与输入/输出氧化层之间形成输入/输出掩膜层，使得在同时去除输入/输出伪栅极和核心伪栅极后，在去除核心氧化层时，避免了刻蚀液对输入/输出氧化层的损伤。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成有STI的半导体衬底（1）上形成输入/输出伪栅极（31）和核心伪栅极（33），所述输入/输出伪栅极（31）与所述半导体衬底（1）之间形成有输入/输出氧化层（21）和位于所述输入/输出氧化层（21）上的输入/输出掩膜层（71），所述核心伪栅极（33）与所述半导体衬底（1）之间形成核心氧化层（23）；在所述输入/输出伪栅极（31）和所述核心伪栅极（33）的两侧所述半导体衬底上形成LDD和SD，以及NiSi层（4）；在所述输入/输出伪栅极（31）、所述核心伪栅极（33）、所述STI（11）以及所述NiSi层（4）上沉积形成刻蚀阻挡层（5），在刻蚀阻挡层（5）的表面上沉积形成介质层（6），对所述刻蚀阻挡层（5）和所述介质层（6）进行平坦化处理，裸露出输入/输出伪栅极（31）和核心伪栅极（33）的上表面；去除所述输入/输出伪栅极（31）和核心伪栅极（33），形成输入/输出栅极槽（35）和核心栅极槽（37）；去除位于所述核心栅极槽（37）中的所述核心氧化层（23）；去除位于所述输入/输出栅极槽（35）中的所述输入/输出掩膜层（71）；在所述核心栅极槽（37）中的所述半导体衬底（1）上形成核心栅介质层（8）；在所述输入/输出栅极槽（35）和所述核心栅极槽（37）中形成高介电常数材料层及位于高介电常数材料层上的金属栅极（9）。