[发明专利]集成电路封装以及封装方法在审
申请号: | 201210599141.0 | 申请日: | 2012-12-15 |
公开(公告)号: | CN103165476A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | F·德赫;G·迈耶-贝格 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/34;H01L23/538;H01L23/488;H05K1/18;H05K3/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;李浩 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了集成电路封装以及封装方法。一种集成电路封装方法包括:由限定电路互连的连续建立层制造封装模块;在封装模块的顶侧上形成腔;将芯片的金属化后侧附着到金属层,所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧;将所述芯片布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到封装模块的电路互连中的至少一个;以及将附着到芯片的金属层耦合到封装模块的顶侧上。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 封装 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路封装方法,包括:由限定电路互连的连续建立层制造封装模块;在所述封装模块的顶侧上形成腔;将芯片的金属化后侧附着到金属层上,所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧;将所述芯片布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个;以及将附着到所述芯片的所述金属层耦合到所述封装模块的顶侧上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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