[实用新型]三氯氢硅合成炉氢气压料、吹扫清理硅粉装置有效

专利信息
申请号: 201220010759.4 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN202594790U 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 郑连基;王振荣;盛长海;许保红;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 西宁金语专利代理事务所 63101 代理人: 哈庆华
地址: 810007 青海省西宁市*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 三氯氢硅合成炉氢气压料、吹扫清理硅粉装置,本实用新型涉及一种三氯氢硅合成炉压料及硅粉收集器反吹方式的氢气压料、吹扫清理硅粉装置,应用于多晶硅制造。其特点是氢气储罐(8)经第一氢气管线(9)连接至硅粉加料器(13)的下部,硅粉加料器(13)的下端经第一压料管线(15)连接至三氯氢硅合成炉(16)的入口,三氯氢硅合成炉(16)的出口经氯硅烷管线(21)连接至旋风分离器(20)的入口,旋风分离器(20)的下端连接至硅粉收集器(19),硅粉收集器(19)的出口经第二压料管线(17)连接至三氯氢硅合成炉(16)的入口;第二氢气管线(2)经第三压料管线(22)连接至硅粉收集器(19)的入口。
搜索关键词: 三氯氢硅 合成 氢气 清理 装置
【主权项】:
一种三氯氢硅合成炉氢气压料、吹扫清理硅粉装置,包括硅粉加料器(13)、三氯氢硅合成炉(16)、旋风分离器(20)、硅粉收集器(19);其特征在于氢气储罐(8)经第一氢气管线(9)和第一阀门(12)连接至硅粉加料器(13)的下部入口(1303),硅粉加料器(13)的下端出口(1304)经第二阀门(14)、第一压料管线(15)连接至三氯氢硅合成炉(16)的入口(1602),三氯氢硅合成炉(16)的上端出口(1601)经氯硅烷管线(21)连接至旋风分离器(20)的入口(2001),旋风分离器(20)的下端经硅粉收集器(19)的入口(1901)连接至硅粉收集器(19),硅粉收集器(19)的出口(1903)经第三阀门(18)、第二压料管线(17)连接至三氯氢硅合成炉(16)的入口(1603);第一氢气管线(9)还连接第二氢气管线(2),经第四阀门(23)、第三压料管线(22)连接至硅粉收集器(19)的入口(1902)。
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