[实用新型]OTP存储数据的写入与读取电路有效
申请号: | 201220012000.X | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN202601216U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 韩红娟;杨卫;江猛 | 申请(专利权)人: | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/18 | 分类号: | G11C17/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215638 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种OTP存储数据的写入与读取电路,包括第一至第十一场效应管,第一至第四非门。OTP写入数据时,数据从数据输入端Data_in输入,当写入使能信号Prog_en有效时,如果数据为1,第一、第二场效应管导通,OTP单元数据的输入输出端In_out输出高电平VDD,当数据为0时,第三、第四场效应管导通,OTP单元数据的输入输出端In_out输出低电平0;OTP读出数据时,当读使能信号Read_en有效时,第五场效应管导通,第七、第九场效应管截止,OTP单元存储的值为0时,第六、第十一场效应管导通,将0传输给数据输出端Data_out,OTP单元存储的值为1时,In_out端为悬空态,通过第十场效应管的上拉作用,便可将数据输出端Data_out拉高。本实用新型结构简洁,又能保证OTP工作寿命。 | ||
搜索关键词: | otp 存储 数据 写入 读取 电路 | ||
【主权项】:
一种OTP存储数据的写入与读取电路,其特征在于,所述OTP存储数据的写入与读取电路包括第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、十一场效应管以及第一、二、三、四非门;所述第五场效应管源极接VDD,栅极与第七、第九场效应管栅极连接后再接Read_en信号,漏极与第六场效应管源极连接,第六场效应管漏极与第十一场效应管栅极、第七、第八场效应管漏极连接成一节点,第七、第八效应管源极连接后接地,第六场效应管栅极与第八场效应管栅极、第十一场效应管源极、第二、第三、第九场效应管漏极连接后再接OTP单元数据的输入输出端,第九场效应管源极接地,第十一场效应管漏极与第十场效应管漏极、第三非门输入端连接,第十场效应管源极接VDD,第十场效应管栅极接地,第三非门输出端与第四非门输入端连接,第四非门输出端为读取时数据读出端(Data_out),第二场效应管源极与第一场效应管漏极连接,第二场效应管栅极与第一非门输出端连接,第一场效应管源极接VDD,第一场效应管栅极与第四场效应管栅极、第二非门输出端连接,第二非门输入端为烧写时数据写入端(Data_in),第三场效应管源极与第四场效应管漏极连接,第三场效应管栅极与第一非门输入端连接后再接Prog_en信号,第四场效应管源极接地。
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