[实用新型]半导体光源和发光装置有效
申请号: | 201220012636.4 | 申请日: | 2012-01-01 |
公开(公告)号: | CN202432315U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 李屹;杨毅 | 申请(专利权)人: | 深圳市光峰光电技术有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V9/14;F21V7/00;F21V14/08;F21Y113/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提出一种半导体光源,利用合光装置可以将归一化光谱存在交叠的激光二极管组和发光二极管组发出的光合成一束,从而降低了该半导体光源的出射光束中单位能量的成本。同时本实用新型还提出一种发光装置,包括用于产生激发光的激发光源,该激发光源包括上述的半导体光源;还包括波长转换层,用于吸收激发光并发射受激光。在本实用新型的半导体光源和发光装置中,利用激光二极管和发光二极管的混合使用,达到降低成本同时保持亮度的目的。 | ||
搜索关键词: | 半导体 光源 发光 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体光源,其特征在于,包括:第一激光二极管组,该第一激光二极管组包括至少一颗激光二极管;发光二极管组,该发光二极管组包括至少一颗发光二极管;该发光二极管组的归一化发光光谱与所述第一激光二极管组的归一化发光光谱存在交叠;合光装置,所述第一激光二极管组和发光二极管组发出的光分别入射于该合光装置相对的两个面;其特征在于:发光二极管组发出的光入射到所述合光装置后分为第一光和第二光两部分;所述第一激光二极管组发出的光透射所述合光装置,所述发光二极管组发出的第一光被所述合光装置反射后与所述第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束,所述发光二极管组发出的第二光透射所述合光装置;或所述第一激光二极管组发出的光被所述合光装置反射,所述发光二极管组发出的第一光透射所述合光装置并与所述第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束,所述发光二极管组发出的第二光被所述合光装置反射;所述第一光与第二光的能量比大于等于0.5且小于等于4。
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