[实用新型]蒸镀用狭长沟槽掩模板有效
申请号: | 201220015889.7 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN202534699U | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;郑庆靓 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种蒸镀用狭长沟槽掩模板,主要解决现有OLED制造技术中,蒸镀时有机颗粒由于掩模板开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题,本实用新型通过采用一种蒸镀用狭长沟槽掩模板,形状为四边形金属板,包括与铟锡氧化物(ITO)面接触的ITO面和蒸镀面两个面,所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物面(ITO面)和蒸镀面的狭长沟槽,在ITO面上的狭长沟槽开口尺寸小于在蒸镀面上的狭长沟槽状开口尺寸的技术方案,较好地解决了该问题,可用于有机发光二极管的工业生产中。 | ||
搜索关键词: | 蒸镀用 狭长 沟槽 模板 | ||
【主权项】:
一种蒸镀用狭长沟槽掩模板,形状为四边形金属板,包括与铟锡氧化物面接触的ITO接触面和蒸镀面两个面,所述掩模板上具有贯通ITO接触面和蒸镀面的狭长沟槽开口,在ITO接触面上的狭长沟槽开口和在蒸镀面上的狭长沟槽开口中心重合,所述狭长沟槽开口相互间隔且相互平行; ITO接触面上的狭长沟槽开口面积小于在蒸镀面上的狭长沟槽开口面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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