[实用新型]低导通电阻的横向MOS器件有效
| 申请号： | 201220021989.0 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN202423297U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈伟元 | 申请（专利权）人： | 苏州市职业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低导通电阻的横向MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，所述P型阱层与N型轻掺杂层在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区位于所述P型阱层，一漏极区位于所述衬底层内，位于所述源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层，此栅氧层上方设有一栅极区；所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，此凹槽的刻蚀深度为源极区结深的1/4～1/5之间；所述凹槽的侧墙区和顶墙区的掺杂浓度相等，且为凹槽的底部区杂浓度的86～94％之间。本实用新型MOS器件减小了器件体积，同时改善了器件的响应时间和频率特性，实现了器件性能参数的长时间稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 横向 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻的横向MOS器件，包括：位于P型的衬底层(1)内的P型阱层(2)和N型轻掺杂层(3)，所述P型阱层(2)与N型轻掺杂层(3)在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区(4)位于所述P型阱层(2)，一漏极区(5)位于所述衬底层(1)内，位于所述源极区(4)和N型轻掺杂层(3)之间区域的P型阱层(2)上方设有栅氧层(6)，此栅氧层(6)上方设有一栅极区(7)；其特征在于：所述源极区(5)与N型轻掺杂层(3)之间且位于P型阱层(2)上部开有至少两个凹槽(8)，此凹槽(8)的刻蚀深度为源极区(4)结深的1/4～1/5之间。
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