[实用新型]基板防凹陷真空吸平装置有效
申请号: | 201220028380.6 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN202585357U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 蔡鸿儒;余文志;王人杰 | 申请(专利权)人: | 由田信息技术(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人: | 孙刚 |
地址: | 200020 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种基板防凹陷真空吸平装置,包括:一基板、一真空载台及一气体导引单元;其基板具有一锡球区及一电路区;真空载台中央处设置一凹槽,该真空载台周围处设置复数气孔;气体导引单元设置于该真空载台表面处且与该凹槽之气体信道路径互相连接导通,其中该气体导引单元可分别设置于凹槽内部区域或外部气孔间隙区域。本创作特征在于真空载台表面处设置与凹槽互相连接之气体导引单元,利用该气体导引单元之信道引导路径与凹槽之气体信道路径互相导通,避免当真空载台吸覆基板料片时,锡球区因呈真空状态,进而使锡球区由真空载台中央处之凹槽下陷。 | ||
搜索关键词: | 基板防 凹陷 真空 平装 | ||
【主权项】:
一种基板防凹陷真空吸平装置,包括:一基板,具有一锡球区及一电路区;一真空载台,系于该中央处设置一凹槽,该凹槽周围处设置复数气孔,且凹槽为非真空区域;其特征在于:一气体导引单元,设置于该真空载台表面处且与该凹槽之气体信道路径互相连接导通,该气体导引单元系设置于凹槽内部区域或外部气孔间隙区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于由田信息技术(上海)有限公司,未经由田信息技术(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220028380.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造