[实用新型]一种掩膜版、曝光装置及系统有效
申请号: | 201220037458.0 | 申请日: | 2012-02-06 |
公开(公告)号: | CN202453647U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 张青 | 申请(专利权)人: | 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种掩膜版、曝光装置及系统,曝光装置包括掩膜版和曝光计测装置,所述曝光计测装置包括摄像机Camera与间隙传感器Gap sensor,曝光系统包括曝光装置和曝光机。所述曝光装置中的掩膜版上设置有间隙窗Gap Window和对位标识Mark,所述Gap Window与对位Mark之间的相对位置与所述Camera与Gap sensor之间的相对位置一致,当进行曝光计测时,可实现Gap和Alignment同时计测,相应的,曝光系统中曝光机的操作界面中包括Gap和Alignment同时计测模式。在曝光过程中,由于Gap计测和Alignment计测同时进行,因此节省了曝光计测的时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 曝光 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,所述掩膜版上设置有对位标识和间隙窗,其特征在于,所述掩膜版上间隙窗与对位标识之间的相对位置、和摄像机与间隙传感器之间的相对位置是一致的。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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