[实用新型]一种真空浸蜡式超导除铁器磁体结构有效

专利信息
申请号: 201220044158.5 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN202422900U 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 侯治龙;朱自安;王兆连;胡新伟;李培勇;胡金刚;马文彬;路志强 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所;潍坊新力超导磁电科技有限公司
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00;B03C1/00
代理公司: 潍坊正信专利事务所 37216 代理人: 石誉虎
地址: 100049 北京市石*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及超导技术领域,提供一种真空浸蜡式超导除铁器磁体结构,该真空浸蜡式超导除铁器磁体结构的超导体绕制而成的线圈内层的底部设置若干通道垫条,形成用以引导液态蜡流入线圈内部超导体之间的空隙的端部空腔,从而实现在低温状态下,液态蜡固化,固定超导体,减少超导体移动造成的失超次数。
搜索关键词: 一种 真空 浸蜡式 超导 铁器 磁体 结构
【主权项】:
一种真空浸蜡式超导除铁器磁体结构,所述磁体结构包括超导体绕制而成的线圈,其特征在于,所述磁体结构还包括设置在所述线圈内层底部的若干通道垫条,所述通道垫条的设置方向与所述线圈的绕制方向成一夹角,所述通道垫条至少有一端设置一弯折结构,所述弯折结构通过所述线圈的一端延伸,形成若干个用以引导液态蜡溶液流入到所述线圈内部超导体和所述通道垫条形成的空隙的端部空腔。
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