[实用新型]图像传感器及源跟随器有效
申请号: | 201220044374.X | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN202633312U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 赵立新;李文强;李杰;霍介光 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H03F3/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种图像传感器与源跟随器。该图像传感器包括:光电二极管,用于感应光强变化而生成相应的图像电荷信号;转移晶体管,用于转移图像电荷信号;源跟随晶体管,用于基于所转移的图像电荷信号生成电压信号,其中,该源跟随晶体管是结型场效应晶体管。相比于现有技术的图像传感器,由于采用了结型场效应晶体管替代表面沟道MOS晶体管作为源跟随晶体管,这避免了导电沟道中的载流子因氧化层-半导体衬底界面处的界面态而被随机俘获或释放,从而有效减少了输出的电压信号中的闪烁噪声,进而提高了图像传感器的成像质量。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 跟随 | ||
【主权项】:
图像传感器,其特征在于,包括一个或多个像素单元,其中每个像素单元包括:光电二极管,用于感应光强变化而生成相应的图像电荷信号;转移晶体管,用于转移所述图像电荷信号;源跟随晶体管,用于基于所转移的图像电荷信号生成电压信号,其中,所述源跟随晶体管是结型场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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