[实用新型]高热负载大功率半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201220044934.1 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN202759153U 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 韩尧;田国光;李军;凌勇;孙松涛;李琮;马永坤;徐连强 申请(专利权)人: 苏州华必大激光有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种高热负载大功率半导体激光器,其包括壳体、TEC制冷器、热沉、半导体激光器芯片组件、电路板,所述的半导体激光芯片组件为基于COS封装的芯片组件,其包括散热基板和粘贴在散热基板上的激光芯片,散热基板粘贴在热沉上;所述的电路板为表面金属涂覆陶瓷电路板,且电路板与半导体激光器芯片组件之间通过连接铜片相电连接。本实用新型半导体激光器散热效果较好,可实现大功率激光器的制造。同时,半导体激光芯片采用粘贴的方式与热沉固定在一起,不会变形或位移,能克服机械及温度等变化带来的对产品的影响,保证了产品的可靠性。
搜索关键词: 高热 负载 大功率 半导体激光器
【主权项】:
一种高热负载大功率半导体激光器,其包括:壳体(1),所述的壳体(1)侧壁上固定安装有多个管脚(11);TEC制冷器(2),其烧焊在所述管壳(1)内;热沉(3),其固定在所述的TEC制冷器(2)上;半导体激光器芯片组件(4),其设置在所述的热沉(3)上,用于产生激光光源;电路板(5),其连接在所述的半导体激光器芯片组件(4)与管脚(12)之间,用于实现电光转换;其特征在于:所述的半导体激光芯片组件(4)为基于COS封装的芯片组件,其包括散热基板(41)和粘贴在散热基板(41)上的激光芯片(42),所述的散热基板(41)粘贴在所述的热沉(3)上;所述的电路板(5)为表面金属涂覆陶瓷电路板,且所述的电路板(5)与所述的半导体激光器芯片组件(4)之间通过连接铜片(6)相电连接。
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