[实用新型]一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口有效
| 申请号： | 201220049595.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN202615803U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杨庆喜;宋云涛;王成浩;赵燕平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | G21B1/11 | 分类号： | G21B1/11;G21B1/23;H05H1/18 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。本实用新型可以既有效的避免普通焊接结构中陶瓷受热被拉裂的问题，又可以方便对真空馈口段内、外导体进行焊接，同时降低真空馈口内、外导体的结构复杂性和加工难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锥形 梯度 绝缘 陶瓷 连接 密封 真空 | ||
【主权项】：
一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，其特征在于：锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。
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