[实用新型]具有重叠电极的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201220068784.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN202487643U | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 黄慧诗;郭文平;柯志杰;邓群雄;谢志坚 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有重叠电极的LED芯片结构，其包括衬底及N型氮化镓层、量子阱及P型氮化镓层；P型淡化基层上覆盖有第一透明导电层，第一透明导电层上覆盖有第二透明导电层，第二透明导电层上设有对称分布的P电极，P电极与第二透明导电层电连接；P电极的正下方均设有透明的电流扩散控制绝缘层。本实用新型第一透明导电层与第二透明导电层间设置电流扩散控制绝缘层，电流扩散控制绝缘层位于P电极的正下方，并能够完全遮挡P电极；通过电流扩散控制绝缘层能改变LED工作时的电流路径，使得发光区域位于电流扩散控制绝缘层的四周，远离P电极，避免P电极对光线的吸收，达到减少电极面积，增加发光面积，提高出光效率，结构紧凑，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 重叠 电极 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种具有重叠电极的LED芯片结构，包括衬底（1）及位于所述衬底（1）上的N型氮化镓层（2）、量子阱（3）及P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型淡化基层（4）上覆盖有第一透明导电层（5），第一透明导电层（5）上覆盖有第二透明导电层（6），所述第二透明导电层（6）上设有对称分布的P电极（7），所述P电极（7）与第二透明导电层（6）电连接；P电极（7）的正下方均设有透明的电流扩散控制绝缘层（9）。
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