[实用新型]具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路有效
| 申请号： | 201220068911.4 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN202488429U | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与SET的源极相连，SET的栅极则与PMOS管的漏极相连，该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds| | ||
| 搜索关键词： | 具有 微分 电阻 特性 混合 set cmos 电路 | ||
【主权项】：
一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，其特征在于：包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连。
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