[实用新型]8000到14000纳米带通红外滤光片有效

专利信息
申请号: 201220090774.4 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN202275172U 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 吕晶 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00
代理公司: 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人: 唐迅
地址: 310000 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种8000到14000纳米带通红外滤光片,包括成分为GE的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的ZnS层和Ge层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不一的ZnS层和Ge层;本实用新型得到的8000到14000纳米带通红外滤光片,其Ge材质的基板配合表面ZnS、Ge材质的镀膜层,实现中心波长定位在8000±1%到14000±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,提升红外热成像仪的成像结果。
搜索关键词: 8000 14000 纳米 通红 滤光
【主权项】:
一种8000到14000纳米带通红外滤光片,包括成分为Ge的基板(1)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(11)和第二镀膜层(12),其特征是所述第一镀膜层(11)包含从内向外依次排列的厚度为210纳米的Ge层、厚度为261纳米的ZnS层、厚度为233纳米的Ge层、厚度为301纳米的ZnS层、厚度为112纳米的Ge层、厚度为187纳米的ZnS层、厚度为85纳米的Ge层、厚度为279纳米的ZnS层、厚度为136纳米的Ge层、厚度为333纳米的ZnS层、厚度为191纳米的Ge层、厚度为268纳米的ZnS层、厚度为139纳米的Ge层、厚度为238纳米的ZnS层、厚度为238纳米的Ge层、厚度为338纳米的ZnS层、厚度为207纳米的Ge层、厚度为423纳米的ZnS层、厚度为192纳米的Ge层、厚度为253纳米的ZnS层、厚度为192纳米的Ge层、厚度为390纳米的ZnS层、厚度为347纳米的Ge层、厚度为312纳米的ZnS层、厚度为268纳米的Ge层、厚度为382纳米的ZnS层、厚度为335纳米的Ge层、厚度为357纳米的ZnS层、厚度为303纳米的Ge层、厚度为314纳米的ZnS层、厚度为320纳米的Ge层、厚度为758纳米的ZnS层、厚度为166纳米的Ge层、厚度为806纳米的ZnS层、厚度为108纳米的Ge层、厚度为555纳米的ZnS层、厚度为318纳米的Ge层、厚度为653纳米的ZnS层、厚度为366纳米的Ge层、厚度为746纳米的ZnS层、厚度为405纳米的Ge层、厚度为707纳米的ZnS层、厚度为332纳米的Ge层、厚度为834纳米的ZnS层、厚度为441纳米的Ge层、厚度为437纳米的ZnS层、厚度为407纳米的Ge层、厚度为451纳米的ZnS层、厚度为560纳米的Ge层和厚度为473纳米的ZnS层;所述第二镀膜层(12)包含从内向外依次排列的厚度为272纳米的Ge层、厚度为282纳米的ZnS层、厚度为1331纳米的Ge层、厚度为2187纳米的ZnS层、厚度为1077纳米的Ge层、厚度为1964纳米的ZnS层、厚度为1039纳米的Ge层、厚度为1972纳米的ZnS层、厚度为1027纳米的Ge层、厚度为2012纳米的ZnS层、厚度为1039纳米的Ge层、厚度为2046纳米的ZnS层、厚度为1070纳米的Ge层、厚度为503纳米的ZnS层、厚度为450纳米的Ge层和厚度为290纳米的ZnS层。
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