[实用新型]7350纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220090907.8 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202472017U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种7350纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、ZnS为镀膜材料的第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层由不同厚度的Ge和SiO交互排列而成,第二镀膜层由不同厚度的Ge和ZnS交互排列而成,所述第一镀膜层和第二镀膜层最内侧均为Ge。本实用新型得到的7350纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为7350±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,为精确测量所需测量的气体提供了基本保证,特别是可适用于检测SO2气体,增加对SO2气体的分辨能力,提高检测精度,更好的满足实际中的使用要求。 | ||
搜索关键词: | 7350 纳米 通红 滤光 | ||
【主权项】:
一种7350纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为镀膜材料的第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)包含由内向外依次排列的220nm厚度的Ge层、318nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、365nm厚度的SiO层、162nm厚度的Ge层、116nm厚度的SiO层、251nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、554nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、512nm厚度的SiO层、190nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、351nm厚度的Ge层、559nm厚度的SiO层、105nm厚度的Ge层、815nm厚度的SiO层、133nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、344nm厚度的Ge层、647nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、827nm厚度的SiO层、364nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、359nm厚度的Ge层、842nm厚度的SiO层、378nm厚度的Ge层、407nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层和100nm厚度的SiO层,所述第二镀膜层(3)包含由内向外依次排列的107nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZNS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、860nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、1639nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、724nm厚度的ZnS层、392nm厚度的Ge层和157nm厚度的ZnS层。
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