[实用新型]太阳能硅片线痕高精度检测系统有效

专利信息
申请号: 201220104389.0 申请日: 2012-03-20
公开(公告)号: CN202494648U 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 陈利平;惠施;裴世铀;李波 申请(专利权)人: 苏州中导光电设备有限公司
主分类号: G01N21/956 分类号: G01N21/956;G01B11/02
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德
地址: 215311 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种太阳能硅片线痕高精度检测系统,硅片传送机构带动硅片运动,激光三角位移传感器将探测光斑投射到硅片表面来对其表面高度信息进行测量,硅片位置感应装置能够感应硅片位于激光三角位移传感器检测位置并传信于数据采集卡,数据采集卡采集激光三角位移传感器传输的测量信息并输出数据给处理器,激光三角位移传感器的探测光斑为长轴方向与硅片线痕方向平行且短轴方向与硅片运动方向一致的椭圆光斑,本实用新型极大地降低了硅片表面的粗糙度对测量线痕的干扰,使得测量只对线痕敏感,有效地提高了线痕测量的精度和准确度,实现了硅片线痕测量的高速检测。
搜索关键词: 太阳能 硅片 高精度 检测 系统
【主权项】:
一种太阳能硅片线痕高精度检测系统,包括硅片传送机构(1)、硅片位置感应装置(2)、检测模块、数据采集卡(17)和处理器(18),所述硅片传送机构(1)能够带动硅片直线运动,检测模块上设有至少一个激光三角位移传感器(3),激光三角位移传感器(3)将探测光斑投射到硅片表面来对其表面高度信息进行测量,硅片位置感应装置(2)能够感应硅片位于激光三角位移传感器(3)检测位置并传信于数据采集卡(17),数据采集卡(17)采集激光三角位移传感器(3)传输的测量信息并输出数据给处理器(18),其特征是:所述激光三角位移传感器(3)的探测光斑为椭圆光斑(31),该椭圆光斑(31)的长轴方向与硅片线痕方向平行,椭圆光斑(31)的短轴方向与硅片运动方向一致。
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