[实用新型]自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线有效
| 申请号： | 201220110590.X | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN202473927U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓彧;伍建峰;张晓东;王钟;王昊;吴浩东;章德 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/20 | 分类号： | H01L27/20;H01L41/08;H03H9/42 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 胡建华 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧的自支撑氮化镓半绝缘型衬底上；缓冲层上设置氮化镓铝势垒层，氮化镓铝势垒层上为ACT电荷输运沟道结构，ACT电荷输运沟道结构两侧的氮化镓铝势垒层上分别设有输入欧姆电极和输出欧姆电极。本实用新型的位错密度小，有利于声表面波的传播。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 氮化 镓单异质结声 电荷 输运 延迟线 | ||
【主权项】：
一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧的自支撑氮化镓半绝缘型衬底上；缓冲层上设置氮化镓铝势垒层；自支撑氮化镓半绝缘型衬底、缓冲层以及氮化镓铝势垒层构成ACT电荷输运沟道结构，ACT电荷输运沟道结构两侧的氮化镓铝势垒层上分别设有输入欧姆电极和输出欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
