[实用新型]深沟槽超结结构的保护环有效
| 申请号： | 201220111606.9 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN202651111U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陶有飞 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种深沟槽超结结构的保护环，位于半导体衬底上，包括：竖向条状沟槽；横向条状沟槽，与竖向条状沟槽竖直相接，构成一个或者多个环状沟槽；以及外延材质，填充于竖向条状沟槽和横向条状沟槽内，将同一个环状沟槽的竖向条状沟槽和横向条状沟槽在半导体衬底中连接成连续的环；其中，构成环状沟槽的竖向条状沟槽与横向条状沟槽的转角接口处彼此空开。本实用新型在转角接口处使用非接触设计，这样，沟槽的所有四个方向就具有相同的晶向，填充的外延材质具有一致性。本实用新型保证了超结结构的电压保护的要求，降低了外延填充的难度，提高了稳定、可靠的电学性能和工艺加工的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 槽超结 结构 保护环 | ||
【主权项】：
一种深沟槽超结结构的保护环（200），位于半导体衬底上，其特征在于，包括：竖向条状沟槽（201）；横向条状沟槽（202），与所述竖向条状沟槽（201）竖直相接，构成一个或者多个环状沟槽；以及外延材质（203），填充于所述竖向条状沟槽（201）和所述横向条状沟槽（202）内，将同一个所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）和所述横向条状沟槽（202）在所述半导体衬底中连接成连续的环；其中，构成所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）与所述横向条状沟槽（202）的转角接口处彼此空开。
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