[实用新型]NiCr系平板太阳能光谱选择性吸收涂层有效
申请号: | 201220113819.5 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN202573165U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 尹万里;崔银芳;张敏;孙守建;李世杰;王轩 | 申请(专利权)人: | 北京桑达太阳能技术有限公司 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/00;F24J2/48 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐宁 |
地址: | 100012 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种NiCr系平板太阳能光谱选择性吸收涂层,它包括基底,基底上通过直流磁控反应溅射法由内向外依次设置有过渡层、红外反射层、吸收层和减反射层;吸收层由第一亚层和第二亚层构成。其制备方法为:采用NiCr合金作为导电粒子,其包括以下步骤:(1)选择基底,在基底上采用金属靶直流磁控溅射方法制备过渡层;(2)在过渡层上采用金属靶直流磁控溅射法制备红外反射层,金属靶为纯金属Cu或Al靶;(3)在红外反射层上采用NiCr合金靶直流磁控溅射法制备吸收层;(4)在吸收层上采用金属靶直流磁控溅射法制备减反射层。本实用新型具有沉积速率高、生产周期短的优点,采用的材料能满足环保要求。本实用新型可以广泛应用于太阳能热利用材料技术领域中。 | ||
搜索关键词: | nicr 平板 太阳能 光谱 选择性 吸收 涂层 | ||
【主权项】:
一种NiCr系平板太阳能光谱选择性吸收涂层,其特征在于:它包括一基底,所述基底上通过直流磁控反应溅射法由内向外依次设置有一过渡层、一红外反射层、一吸收层和一减反射层;所述吸收层由第一亚层和第二亚层构成。
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